照片顯示，當時601試驗所的生產現場和中國第一只硅單晶。

無論芯片供應鏈的安危如何，無論5g時代的到來，這些熱門話題都展現出了我們生活與新聞化時代的密切關系。 眾所周知，由高純度硅制成的晶片是半導體領域的基礎，是新聞化時代不可缺少的核心材料。 鮮為人知的是，20世紀50年代到60年代，中國科學家依靠自身力量成功開發了高純度硅單晶。 這不僅打破了美蘇壟斷，也奠定了中國現代電子產業的基礎。

1957年，世界上第一個集成電路在美國問世，半導體技術很快在許多行業得到應用。 與此同時，與西方競爭的硅研究熱在中國科技界也悄然興起。 1958年9月，天津市公安局決定在馬鋼工廠設立601個試驗所(中國電氣科46所前身)，開發小型變送器、步話機等。 試驗成立后，首先成立了化學精制小組，開始了由石英石制造硅的實驗研究。

但是，如何溶解高純度的硅單晶，當時沒有什么進展。 為此，601實驗所決定成立物理純化小組。 擔任領隊的是28歲的丁守謙，他畢業于北京大學物理系電子光學專業，也是蘇聯專家謝爾曼培養的中國首批10名電子光學研究生之一。 張少華，原天津中學物理教師； 蔡載熙，28歲，從事原子核輻射相關研究； ◇靳健，26歲，從事宇宙線研究； 李性涵，原天津某電池廠長，近60歲； 雷蠡夏，北京大學物理學科畢業，熱衷理論物理的胡勇飛，天津大學物理系畢業生。 這樣，沒有一個游擊隊員專門從事半導體。 可以嗎？

物理組裝時，只有幾間平房，不僅沒有設備，而且缺乏技術資料。 歷經千辛萬苦發現的俄語版《半導體冶金學》，使大家如珍寶。 從這點材料中，他們知道晶體硅的熔點: 1414。 不僅熔點極高，化學性質也極為活躍。 我該怎么辦？

當時沒有設備，只有一臺用過的高壓變電設備。 李性涵提出了用高壓火花的方法，產生高頻振動，使感應石墨容器產生高溫。 經過幾個月的摸索，終于達到了指定溫度，硅粉也溶化成了硅粉，大家都很高興。 但是，后來發現，按照這種做法組成的只有碳化硅，不是半導體材料所需的硅單晶。

全員必須重新在海外文獻中尋找理發線索。 在海上找針的結果表明，硅單晶需要用專用的硅單晶爐提拉，但硅單晶爐是什么樣子的在文獻中沒有提及。 后來，物理提煉集團聽說北京有色金屬冶金院有拉鍺單晶的設備，原理和硅單晶的制造相似。 于是技術廠長汪吉春派丁守謙去取經典。 丁守謙后來回顧說，雖然真的不看就不知道，但實物比文獻中介紹的要多得多、復雜得多。 丁守謙中途瞪大了眼睛，努力記住所有的細節。 根據他的記憶和大家的創作意見，不到半個月，拉硅單晶的自制爐就從圖紙變成了實物。

但是，如果真的輪到實驗的話，問題就會接二連三地發生。 如果將硅加熱到1400度以上的熔點，爐壁整體會熱得燙手，但這是在鍺單晶爐(鍺的熔點為960度)中不會遇到的故障。 他們急忙給爐外殼裝上水冷套。 另外，單晶爐內也需要保護氣體。 去哪里找合適的惰性氣體？ 他們必須自己制作真空系統，處理硅的氧化問題。

硅單晶爐建成后，剩下的最大難題是掌握火候和提拉的速度。 蔡載熙、靳健、張少華等用其他材料代替硅進行了數百次實驗和演習。 一切準備就緒后，終于正式提拉硅單晶。

實驗需要使用辛苦從蘇聯購買的小籽晶。 這是唯一的小籽晶！ 就是說實驗只能成功，不能失敗！

1959年9月14日晚上9點左右，實驗開始。 所有人都聚集在自制的硅單晶爐旁。 但是，好事多磨，坩堝內的硅溶液只剩下1/3的地方，電機突然故障了。 大家急忙采取了人工馬達的方法，但一次又一次過了一會兒就不行了，實驗被中斷了。

這個半途而廢的實驗能打動所有人的心，成功嗎？ 當取出只結晶了2/3的像大拇指那么大的結晶時，大家的眼睛突然明亮了起來！ 我看到這個晶體有角，三個晶面閃閃發光！ 這就是人們夢寐以求的硅單晶！

據鑒定，中國第一只硅單晶誕生于1959年9月15日凌晨！ 不到一年，中國第一只硅單晶開發成功，為新中國十年大慶獻上厚禮！

1960年3月，國家計委、冶金部正式批準在天津建設703家工廠。 (冶金部規定硅的符號為703。 當時硅單晶提拉成功了，但還需要進一步提純。 國外科技資料表明，硅單晶純度至少要達到5個9 (即99.999% )，才能派上用場。 怎么才能精制呢？ 這又是一個大難題，其難度遠遠超過提拉硅單晶本身。

經過仔細討論，大家決定用高頻爐試試。 但是，聽起來，現在的高頻爐的頻率是幾百千赫茲，融化硅至少需要幾千千赫茲。 怎么辦？ 那個好不好暫且不論，吉春立刻決定先買一輛再說。 根據無線電的基本知識，他們自己動手，對買來的高頻爐動手進行了改造。

下一個問題是如何處理電容器。 當時不容易得到合適的電容器，還是只能自己做。 起初，他們想用玻璃制作絕緣介質，但發現不行。 之后，大家取下在實驗室吃飯的大理石桌子，把大理石桌子和銅片重疊在一起做了一個大電容器。 雖然解決了電容器的著火問題，但是高頻爐的電容器還沒有滿足要求。 于是他們使用空氣體電容器，精細調節間距，仔細打磨表面防止火花，最終滿足了技術要求。

1960年秋，他們連續掃描硅單晶棒17次后，純度達到7個9！ 國慶節11周年之際，他們再次以優異的成績向祖國獻上了厚禮。

1961年秋，國防科委和國家科委共同舉辦的全國硅材料研討會在北京召開。 萬吉爾欽帶著7個純度9個硅單晶去開會了。 聶榮臻元帥聽了這話笑著說。 “這是游擊隊打敗正規軍隊的！

中國科學院半導體專家鑒定后認為，601試驗所1960年的設備條件和產品純度，已經相當于美國1953年的水平，技術差距縮小到7-8年。 它使中國成為繼美國和蘇聯之后，世界上又能自己提拉硅單晶的國家，使中國在這個行業站在了與世界強國并肩的位置。

本文：《“沒有設備自己動手 缺乏經驗自己摸索：中國半導體“基石”誕生記”》

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